По сообщению компании Hewlett-Packard (HP), специалистам исследовательского подразделения удалось создать новый базовый элемент электронных схем. Принцип его работы был описан теоретически 37 лет назад, но создать действующие образцы «мемристора» (название memristor образовано из слова memory — память и resistor — резистор) удалось лишь сейчас, благодаря достижениям нанотехнологии.
Как утверждается, создание нового элемента может стать наиболее значительным событием десятилетия в микроэлектронике и привести к кардинальным изменениям в технологии хранения информации, поскольку мемристор способен хранить данные без затрат энергии на протяжении длительного времени.
Микросхемы памяти, построенные на базе мемристоров, сулят возможность моментального включения компьютеров за счет отказа от необходимости начальной загрузки, понижение энергопотребления мобильных устройств и другие захватывающие перспективы.
Термин «мемристор» предложил в 1971 году ученый из калифорнийского университета в Беркли Леон Чуа (Leon Chua), который разработал теоретический фундамент четвертого элемента. По мнению автора открытия, мемристор относится к тому же ряду, что и резистор, конденсатор и индуктивность.
Спустя 37 лет, группа исследователей под руководством Р. Стэнли Уильямса (R. Stanley Williams) смогла создать первый рабочий образец мемристора. Элемент сформирован пересечением электродов из платиновой нанопроволоки, разделенных пленкой диоксида титана.
Сопротивление мемристора можно существенно (на три порядка) изменять, пропуская через него ток. Изменение сопротивления эквивалентно переключению между единичным и нулевым состоянием, что и наделяет новый элемент свойством памяти. Важно, что энергия затрачивается только в момент переключения.
По мнению HP, новая технология вполне может претендовать на роль универсальной памяти будущего, которая одновременно заменит используемую сейчас динамическую память с произвольным доступом и флэш-память.
Разработка и поддержка сайта: